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SK海力士宣布成功研发176层NAND闪存

    近日,SK海力士表示,近期成功研发出基于三层存储单元(TLC)的176512Gb(千兆位)NAND闪存。SK海力士去年6月在世界上首次成功批量生产1284D NAND闪存。此次仅次于美国存储半导体企业美光科技,美光11月宣布已批量出货176NAND闪存。

    据SK海力士介绍,第三代4D NAND闪存达到业界最高水平,比上一代128层产品提高了35%以上生产率,增强了产品成本竞争力。另外,新产品的读取速度比上一代加快20%,数据传输速度达到每秒1.6Gb,提高了33%

    4D NANDSK Hynix对采用了PUCPeri Under Cell)技术闪存的称呼。SK Hynix96层堆叠开始使用这项技术,它将闪存芯片当中的附属电路置于闪存阵列下方,从而缩小芯片面积并提高晶圆的位产出率。与之类似的技术还有CuA(美光)、Xstacking(长江存储)等。

    今年10月份SK Hynix刚刚宣布收购英特尔的NAND闪存制造业务,不过整个交易需要等到20253月才能最终完成,届时SK Hynix有望超越铠侠,成为三星之下的世界第二大闪存制造商。

内容来自:中国半导体论坛

 

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