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英特尔全新10纳米SuperFin晶体管技术,Tiger Lake处理器将采用

 

813日,英特尔(Intel)在“架构日”正式发布与展示新型晶体管技术,这项定名为“SuperFin”的技术以10纳米制程为基础,预计能降低通孔电阻30%,以提高互联性能。而接下来预计推出代号“Tiger Lake”的次世代处理器将会采用该技术,目前已出货,预计2020年底前将能看到搭载“Tiger Lake”次世代处理器的终端设备。

 

近期,英特尔因为7纳米制程延迟推出,在科技产业圈闹得满城风雨,也让英特尔股价大跌,还使竞争对手得利。为了挽回颓势,英特尔特别在定名为“架构日”当天宣布并展示六大创新发展,包括10纳米SuperFin技术、Willow Cove微架构、针对行动客户端的Tiger Lake系统单芯片架构的详细信息、以及首次揭示了其完全可扩展的Xe绘图架构等。英特尔指出,这些架构可满足从消费端至高性能计算,再到游戏用途的各个市场。英特尔将其解耦芯片设计方式、结合先进的封装技术,XPU产品和以软件为中心的策略,致力为客户提供领先性能的全方位解决方案。

 

英特尔表示,在新宣布的10纳米SuperFin技术,是经过多年来持续在FinFET晶体管技术方面精益求精的努力,使得英特尔重新定义该技术,以完成史上最大的单节点内技术升级,提供等同转换至全新制程节点技术的性能改进。通过在10纳米SuperFin技术将英特尔增强型FinFET晶体管与Super MIM电容器结合在一起,在SuperFin技术于源极/汲极提供增强的磊晶,以改进栅极制程和额外的栅极间距下,将实现更高的性能。

英特尔进一步指出,由英特尔首席架构师Raja Koduri、英特尔院士及架构师团队开发的10纳米SuperFin技术,有提升源极和汲极结构的磊晶生长特点,从而提升应力并减少电阻,允许更多电流通过。其次,改进栅极制程以驱动更高的信道迁移率,使电荷载子更快速移动。额外栅极间距选项,可为需要极致性能的特定芯片功能提供更高的驱动电流,且新型薄阻障层将通孔电阻降低30%,增强互联性能。与业界标准相比,英特尔Super MIM电容相同的占用面积,提供5倍的容值,降低电压骤降情况,并显著提高产品性能。此技术为新型Hi-K介电材料,材料堆栈厚度仅数埃(10-10次方米)的超薄层,形成重复的“超晶格”结构,是业界首创的技术,领先其他制造商的现有制程能力。

英特尔最后表示,接下来代号为Tiger Lake的英特尔次世代笔记本处理器将以10纳米SuperFin技术为基础,而Tiger Lake目前正在生产,并出货给预计年底节日季节推出OEM系统的客户。

内容来自:十轮网

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