苏州中科－业实集成高阶培训系列

（针对非半导体制程技术人员的）半导体制程技术概论

制程技术的发展带来了更低功耗、更快速度的电子产品，但也给IC设计业带来了越来越多新的挑战。传统的精细分工方式将会面临越来越多的困难，在新形势下不仅要求设计工程师（特别是后端版图工程师）具有传统的设计方面的知识，而且更需要对最新的制程工艺有深入的了解，以发现由此带来的机遇和挑战。

为了给本地区非制程技术人员提供一个学习的机会，苏州中科集成电路设计中心将联合业实集成（上海）有限公司在中心开展一期针对非半导体制程技术人员的半导体制程课程，欢迎大家报名参加！

l       培训时间

2005年9月3-4日 （9：00-17：00）第一部分；9月10日  （9：00-17：00） 第二部分。

l       培训地点

苏州中科集成电路设计中心培训教室     （苏州工业园区机场路328号国际科技园二期E401）

l       课程大纲

第一部分：制程部分（2天）

9/3/2005

1.        Overall introduction of basic integrated circuits (IC)

a)        IC applications in electronics

b)        IC production procedures

c)        A typical 0.18um logic process sequence

d)        A typical AL interconnect processes

e)        A typical Cu interconnect processes

2.        High temperature depositions

a)        Atmospheric pressure (AP) and low pressure (LP) furnace silicon oxide deposition. Its principals, equipment set-ups and applications

b)        AP/LP furnace silicon nitride deposition. Its principals, equipment set-ups and applications

c)        AP/LP furnace poly crystalline silicon deposition. Its principals, equipment set-ups and applications

3.        Low temperature Thin Film depositions

a)        Basic plasma principals

b)        Plasma enhanced chemical vapor deposition. Its principals, equipment set-ups, applications and issues.

c)        Physical vapor depositions. Its principals, equipment set-ups, applications and issues.

d)        Cu plating technology basics.

e)        Chemical mechanical planarization basics.

4.        Photo lithography in semiconductors

a)        Some Optical theory and principals

b)        Lithography applications in semiconductor processes

c)        Optical proxy correction. Its principals, applications, procedures and some examples.

d)        Mask types and grades used for each technology generation.

e)        Photo resist basics

f)          Principals of anti-reflection layer

9/4/2005 (depends on 9/3 progress, may move part of lithography topics to 9/4)

5.        Reactive Ion Etch 

a)        Silicon etches – systems, fundamentals, applications and examples.

b)        Metal etch – systems, fundamentals, applications and examples.

c)        Dielectric etches – systems, fundamentals, applications and examples.

6.        Ion implantation

a)        Fundamentals

b)        Applications

c)        Equipments

7.        Wet clean

a)        Principals of wet clean

b)        Applications at various steps in semiconductor processes

8.        Silicon technology status and trends

a)        The current technology features and capabilities

b)        What are the current limitations for the technology to move forward

c)        The potential solutions and methodologies to overcome the barriers.

d)        Emerging new architectures for the transistors.

第二部分：制程与设计部分（1天）

9/10/2005

9.        Design rules

a)        What are design rules

b)        How does design rule was built

c)        Some examples of design rules and the reason behind each rule.

10.    Design for manufacturing (DFM)

a)        When design rule is not enough to guarantee the high yield and high performance, DFM is needed.

b)        What designer should do to help improve the circuitry preferment’s and yield

c)        Aspects of processes that DFM can help.

11.    Semiconductor yield

a)        Yield management

b)        Defect distribution

c)        Yield management methodology

d)        Basis of good yield management

e)        Defect analysis and defect Pareto

f)          Yield models

12.    Reliability of semiconductor devices

a)        Reliability issues

b)        Accelerated reliability testing

c)        Time-to-failure models

d)        Cumulative distribution function

e)        Probability distribution function

f)          Failure expectations

g)        Dielectric breakdown

h)        BEOL reliability

                                       i.              Electromigration

                                     ii.              Stress migration

                                    iii.              Thermal cycling

                                   iv.              Corrosion

l       课程费用

课程分两部分，企业可根据自身需求选择参加课程部分，其中，第一部分为1200元/人（共2天），第二部分600元/人（共一天），全部选择合计1800元。

为感谢各企业对我中心的支持，对于签约客户采取“3送1”优惠活动。

l       培训主办

苏州中科集成电路设计中心

业实集成电路（上海）有限公司

l       讲师资料

 Dr. Ning

Education:

1992年获得美国Case Western Reserve University 材料学博士后

北京大学金属物理学硕士

Experience:

目前工作于SMIC技术发展中心，领导0.25um工艺项目，并负责0.18um、0.13um工艺技术的研发，目前他正在领导65nm技术的研发工作

1997年加入了IBM/Infineon R&D项目，负责制程整合项目

1992年担任德州仪器薄膜制程工程师

   PPG公司顾问

   Synmatix公司顾问

  Case Western Reserve University高级研究员

   北京大学电子实验室研究员

曾为德州仪器，IBM，应用材料等多家知名公司讲授各类技术培训课程； Dr. Ning发表过超过50篇的论文，并拥有70项半导体方面的专利，并多次被邀请在美国、日本、中国等地举办的国际研讨会和技术培训上演讲。

Specializations：

0.25um~0.065umCMOS制程工艺及制程整合，Design Rule，失效分析及可靠性测试

l       培训报名及联系方式

1.首先请填妥报名表格后E－Mail至：training@szicc.com.cn或传真至：0512-62889111

2.待苏州中科确认后将培训费用汇款至本公司银行帐户

工行苏州市园区支行    帐号：1102020309000007696    户名：苏州中科集成电路设计中心有限公司

3.将汇款单传真至苏州中科

4.报名截止日期：2005年9月2日

5.培训联系人

苏州中科集成电路设计中心 （Http://www.szicc.com.cn）  

联系人：赵  云        联系电话：0512-62889079      E－mail：zhaoy@szicc.com.cn

传真：0512-62889111

地址：苏州市工业园区机场路328号国际科技园二期E301           邮政编码：215021

报名表下载